台积电拟进军先进内存制造 或为英伟达生产 3D DRAM

科技媒体《The Information》援引两名知情人士消息称，台积电正考虑扩大其业务版图，进军先进内存芯片制造领域。此举旨在帮助台积电在快速扩张的人工智能硬件供应链中获取更大的市场份额。

报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为“3D DRAM”的先进内存芯片。该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对 AI 算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。

目前，台积电尚未确定量产时间，也未最终决定产能来源。据 IT 之家援引博文介绍，台积电正在评估两条路径：一是兴建专用新厂，二是收购现有晶圆厂并改造为内存生产设施。

这一动向若落地，将意味着台积电从长期专注的晶圆代工、逻辑芯片制造，向三星电子、SK 海力士和美光长期主导的存储芯片市场延伸。对英伟达而言，若能获得更近的先进内存供应，也有助于缓解 AI 加速器所需高带宽内存的供应压力。

不过，该消息仍属市场传闻。台积电回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务；英伟达则未回应置评请求。