长鑫科技第六代DRAM平台完成工程样片验证

10月30日，中国存储芯片制造商长鑫科技在第三季度业绩交流会上披露，公司基于4F²垂直沟道DRAM架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。这是长鑫首次公开确认其第六代平台采用4F²架构，标志着该公司在DRAM技术演进上取得关键突破。

技术突破与量产前景

长鑫科技表示，工程样片验证的完成意味着该平台的核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期。按照产业惯例，在客户端完成验证后，该平台可进入规模量产阶段。公司预计在今年年底，面向服务器这一应用难度较高的领域，推出融合4F²先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品，并优先落地对密度要求高的高附加值产品，后续逐步向其他品类延伸。

在技术细节上，长鑫自研的VSG（垂直包围栅）晶体管采用垂直包围沟道结构，旨在缓解短沟道效应与漏电问题。该架构将DRAM与CMOS的制造工艺解耦，并通过晶圆级混合键合实现高速互联，从而分别优化逻辑性能与存储密度。长鑫科技称，这种逻辑晶圆和存储晶圆键合堆叠的方式，在产品定义上提供了更大的灵活度，并打通了后续节点继续微缩的道路。

全球竞争格局与行业意义

4F²架构被视为破解DRAM单元微缩瓶颈、迈向3D DRAM的关键路径。IEEE国际器件与系统路线图（IRDS）指出，当半间距微缩日趋困难时，从6F²向4F²单元转型是维持成本趋势最有前景的路径。4F²单元面积约为主流6F²单元的三分之二，已成为全球主要存储厂商的共同选择。

据公开披露的进度，长鑫在4F²工程化推进上处于全球前列。三星、SK海力士均已将4F²列为10nm级以下的关键方向，其中三星在ISSCC 2026发表了相关论文，其CTO于今年10月公开确认也在研发；SK海力士则将4F²垂直栅平台与3D DRAM并列为两大技术支柱。若后续进展顺利，长鑫有望成为全球首个落地4F²技术的企业。

此外，长鑫科技透露，其第五代工艺技术平台已实现量产，主要推出245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品。该平台每片晶圆产出裸片数量较第四代提升至少50%，在能效和成本控制上具备显着优势，为LPDDR6的大规模量产提供了技术支撑。目前，LPDDR6产品也已实现量产。